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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
69
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2368
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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