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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
69
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
no data
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
, 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3043
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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