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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3119
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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