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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
69
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
4324
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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