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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
69
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2824
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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