RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
72
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
72
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
1817
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link