RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
75
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
75
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
1763
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link