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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
69
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3145
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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