RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2716
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
AMD R334G1339U2S 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link