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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
106
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
106
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
1252
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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