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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
58
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2917
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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