RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
58
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3439
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link