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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
58
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3247
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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