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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
58
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3599
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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