RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
58
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
44
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2386
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link