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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
58
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.0
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
18.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
4005
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
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