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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3756
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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