RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
58
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2912
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link