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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
62
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
62
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2086
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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