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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
58
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3115
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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