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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2931
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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