RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
58
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
45
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3233
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link