RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
58
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3192
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link