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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Puntuación global
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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 17.3
    Valor medio en las pruebas
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Razones a tener en cuenta
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 58
    En -164% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.3 left arrow 1,950.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    58 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,241.0 left arrow 17.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,950.7 left arrow 12.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    651 left arrow 3114

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM

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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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