RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
58
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2487
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link