RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3567
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link