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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
58
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2585
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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