RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
58
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2434
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link