RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
74
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
74
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1344
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link