RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2323
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link