RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
46
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
21
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3350
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link