Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Puntuación global
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 46
    En -24% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    21.4 left arrow 2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.3 left arrow 1,519.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 3200
    En 6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,909.8 left arrow 21.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,519.2 left arrow 14.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    241 left arrow 3448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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