RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3228
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
INTENSO 5641162 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link