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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Puntuación global
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Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 18.7
    Valor medio en las pruebas
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 46
    En -70% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.0 left arrow 1,519.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 3200
    En 5.31 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,909.8 left arrow 18.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,519.2 left arrow 15.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    241 left arrow 3530

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