RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3167
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link