RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3088
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link