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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3488
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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