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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
46
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
20
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3492
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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