RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3397
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link