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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2552
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
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