RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3217
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link