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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2734
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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