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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
71
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
71
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1813
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
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