RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
71
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
71
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1813
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link