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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2797
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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