RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2971
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link