RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2975
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link