RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3188
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link