RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3756
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link