RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3434
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link