RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
46
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
45
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3027
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link